具有高靜電消除性能的離子棒介紹

發(fā)布時(shí)間：2024-04-04　點(diǎn)擊量：573

具有高靜電消除性能的離子棒介紹

離子棒（內(nèi)置控制器SIB4系列）

這是一款內(nèi)置控制器的離子棒，具有高靜電消除性能，并采用了提高離子生成效率的技術(shù)。
放電針座采用防止外部顆粒附著的結(jié)構(gòu)，
維護(hù)極其方便。

SIB4-800～SIB4-3200（陣容強(qiáng)大，共17種型號(hào)）

高靜電消除性能
采用新開發(fā)的放電針座，提高電暈放電率，最大限度地減少離子生成過程中的損失，實(shí)現(xiàn)高靜電消除性能。
節(jié)省維護(hù)
新開發(fā)的放電針插座是一觸式可拆卸插座，可減少放電針上的顆粒粘附，從而輕松更換放電針。放電針清潔周期由放電針清潔定時(shí)器功能通知。（提示清潔警報(bào)）
易于安裝
離子棒之間可以交叉接線，使接線工作更加容易。（最多 4 件）
電壓調(diào)節(jié)功能
可以分10級(jí)調(diào)節(jié)施加在放電針上的電壓，讓您可以根據(jù)使用環(huán)境進(jìn)行最佳設(shè)置。
使用遙控器進(jìn)行遠(yuǎn)程控制
您可以使用高度便攜的卡片式遙控器來設(shè)置離子發(fā)生器的頻率和離子平衡。
實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng) (RMS) SIB4 可選的
RS485 通信允許遠(yuǎn)程監(jiān)控離子棒的運(yùn)行狀態(tài)。

通過采用反電極，可以更有效地提高施加到放電針的電壓，提高離子發(fā)生率，并減少來自外部的顆粒的附著。

放電針的清潔周期可以使用內(nèi)置定時(shí)器根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。

施加到放電針上的電壓可以在 8.0kVpp 至 12.5kVpp 之間以 0.5kV 為步長進(jìn)行調(diào)節(jié)。

SIB4采用一觸式插座式放電針，易于清潔和快速更換。

您可以使用遙控器設(shè)置離子棒的頻率和離子平衡。

該系統(tǒng)允許您使用 RS485 通信和以太網(wǎng)遠(yuǎn)程監(jiān)控離子棒的運(yùn)行狀態(tài)。

型號(hào)（中間支架數(shù)量、放電針數(shù)量）

規(guī)格
模型		SIB4-800～SIB4-3200
輸入功率		DC24V（±5%）
能量消耗		最大14.4W
離子發(fā)生方式		電暈放電（脈沖交流方式）
供氣壓力		0.1～0.5Mpa CDA（清潔干燥空氣）或N 2
空氣連接口		1/8" 一觸式接頭
離子平衡		±30V以下
臭氧發(fā)生		≤0.05ppm以下
放電針材質(zhì)		鎢/硅（可選）
更換放電針		插座更換
使用環(huán)境		0~50℃，35%~85%RH（無凝露）
功能設(shè)置		主機(jī)/遙控器
功能	頻率（赫茲）	0.1、0.3、1、3、5、8、10、20、30、35、40、45、50
	脈沖比	40-70%（+側(cè)）
	輸出電壓電平	正1~10，負(fù)1~10
報(bào)警功能		高壓異常、放電針清洗
界面		RS485（用于RMS），遠(yuǎn)程，運(yùn)行狀態(tài)
除靜電距離		50～2,000mm
選項(xiàng)		RMS（實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)）、SBP-RD（直流電源裝置）
保修期		購買后1年
配件		中間支架、電源線、通訊線